Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 35–40 (Mi phts7180)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов

В. А. Гайслерabc, А. В. Гайслерa, А. С. Ярошевичa, И. А. Деребезовa, М. М. Качановаa, Ю. А. Живодковa, Т. А. Гавриловаa, А. С. Медведевa, Л. А. Ненашеваa, К. В. Грачевa, В. К. Сандыревa, А. С. Кожуховac, В. М. Шаяхметовa, А. К. Калагинa, А. К. Бакаровac, Д. В. Дмитриевa, А. И. Тороповa, Д. В. Щегловa, А. В. Латышевac, А. Л. Асеевa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
c Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (593 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Разработана и реализована конструкция полностью полупроводникового брэгговского микрорезонатора для излучателей одиночных фотонов, сочетающая в себе эффективную токовую накачку селективно-позиционированных InAs-квантовых точек в пределах микронной апертуры, высокую внешнюю квантовую эффективность и низкую расходимость излучения.
Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 1, Pages 33–38
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615010091
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, М. М. Качанова, Ю. А. Живодков, Т. А. Гаврилова, А. С. Медведев, Л. А. Ненашева, К. В. Грачев, В. К. Сандырев, А. С. Кожухов, В. М. Шаяхметов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 35–40; Semiconductors, 49:1 (2015), 33–38
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GaiGaiYar15}
\by В.~А.~Гайслер, А.~В.~Гайслер, А.~С.~Ярошевич, И.~А.~Деребезов, М.~М.~Качанова, Ю.~А.~Живодков, Т.~А.~Гаврилова, А.~С.~Медведев, Л.~А.~Ненашева, К.~В.~Грачев, В.~К.~Сандырев, А.~С.~Кожухов, В.~М.~Шаяхметов, А.~К.~Калагин, А.~К.~Бакаров, Д.~В.~Дмитриев, А.~И.~Торопов, Д.~В.~Щеглов, А.~В.~Латышев, А.~Л.~Асеев
\paper Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 35--40
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7180}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195062}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 33--38
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615010091}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7180
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i1/p35
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025