Непрямые в реальном и импульсном пространстве диполярные экситоны в гетероструктуре GaAs/AlAs

В диоде Шоттки со структурой из двух узких гетерослоев, GaAs (3.5 нм) и AlAs (5 нм), исследованы в перпендикулярном магнитном поле, в геометрии Фарадея, фотолюминесцентные свойства долгоживущих диполярных экситонов, непрямых не только в реальном, но и в импульсном пространстве. С помощью внешнего перпендикулярного электрического поля удается увеличивать времена жизни таких экситонов до $\sim$ 1 мкс. Тем не менее, экситонная спиновая подсистема остается неравновесной – время спиновой релаксации экситона оказывается еще длиннее. Степень циркулярной поляризации достигает 80% в поле 6 Тл. С помощью электрического поля можно управлять как ее величиной, так и знаком.