Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными слоями

Теоретически и экспериментально исследованы гетероструктуры InGaAs/GaAs, содержащие квантовые ямы и $\delta$-легированные слои. На основе процедуры самосогласованного решения уравнений Шрёдингера и Пуассона проведены численные расчеты дифференциальной емкости и эффективных профилей концентрации электронов в структурах с различным взаимным расположением квантовой ямы и $\delta$-слоя. Проведено сравнение расчетов с результатами анализа измеренных вольт-фарадных характеристик вышеуказанных структур. Выявлены закономерности поведения профилей наблюдаемой концентрации и вида вольт-фарадных характеристик в зависимости от геометрии структуры, температуры, степени легирования.