Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 63–70 (Mi phts7185)  

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост

М. В. Князеваab, А. Г. Настовьякa, И. Г. Неизвестныйab, Н. Л. Шварцab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
Аннотация: Предложена кинетическая решеточная модель Монте-Карло роста нитевидных нанокристаллов GaAs на основе механизма пар-жидкость-кристалл. Реализован модельный каталитический и самокаталитический рост нитевидных нанокристаллов на поверхности GaAs(111)B. Продемонстрирована зависимость морфологии растущих нанокристаллов от параметров роста. При самокаталитическом росте, когда в качестве катализатора роста выступали капли галлия, скорость роста нитевидных нанокристаллов линейно зависела от потока мышьяка в широком диапазоне потоков мышьяка. Убывающая зависимость скорости самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов от исходного диаметра капли галлия оказалась менее крутой, а оптимальная температура роста выше, чем при каталитическом росте. Показано, что самокаталитический рост более чувствителен к соотношению потоков галлия и мышьяка, чем каталитический.
Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 1, Pages 60–68
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615010145
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Князева, А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц, “Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 63–70; Semiconductors, 49:1 (2015), 60–68
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KnyNasNei15}
\by М.~В.~Князева, А.~Г.~Настовьяк, И.~Г.~Неизвестный, Н.~Л.~Шварц
\paper Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 63--70
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7185}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195067}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 60--68
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615010145}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7185
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i1/p63
  • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025