|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 63–70
(Mi phts7185)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.
Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост
М. В. Князеваab, А. Г. Настовьякa, И. Г. Неизвестныйab, Н. Л. Шварцab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
Аннотация:
Предложена кинетическая решеточная модель Монте-Карло роста нитевидных нанокристаллов GaAs на основе механизма пар-жидкость-кристалл. Реализован модельный каталитический и самокаталитический рост нитевидных нанокристаллов на поверхности GaAs(111)B. Продемонстрирована зависимость морфологии растущих нанокристаллов от параметров роста. При самокаталитическом росте, когда в качестве катализатора роста выступали капли галлия, скорость роста нитевидных нанокристаллов линейно зависела от потока мышьяка в широком диапазоне потоков мышьяка. Убывающая зависимость скорости самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов от исходного диаметра капли галлия оказалась менее крутой, а оптимальная температура роста выше, чем при каталитическом росте. Показано, что самокаталитический рост более чувствителен к соотношению потоков галлия и мышьяка, чем каталитический.
Поступила в редакцию: 23.05.2014 Принята в печать: 15.06.2014
Образец цитирования:
М. В. Князева, А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц, “Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 63–70; Semiconductors, 49:1 (2015), 60–68
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7185 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i1/p63
|
|