Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии

Теоретически исследован транспорт электронов в гетеробиполярных транзисторах с радиационными дефектами, в условиях, когда характерные размеры кластеров дефектов и расстояний между ними могут быть сопоставимы или даже превосходить размеры базы прибора. Показано, что при определенных уровнях воздействия нейтронное облучение может привести к уменьшению времени пролета базы горячими электронами, что замедляет деградацию параметров транзисторов.