Особенности использования аммиачной и плазменной МЛЭ для получения III–N HEMT гетероструктур

Рассмотрены особенности получения нитридных HEMT гетероструктур методом аммиачной и плазменной МЛЭ. Показано, что использование высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN, выращенных при использовании аммиака и экстремально высокой температуре (до 1150$^\circ$C), позволяет кардинально улучшить структурное совершенство активных слоев GaN и понизить плотность дислокаций в них до значений 9$\cdot$10$^8$–1$\cdot$10$^9$ см$^{-2}$. Использование таких буферных слоев позволяет получать гетероструктуры GaN/AlGaN высокого качества обоими методами. С другой стороны, в отличие от аммиачной МЛЭ, которую трудно использовать при $T<$ 500$^\circ$C (из-за низкой эффективности разложения аммиака), плазменная МЛЭ весьма эффективна при низких температурах, например, для выращивания слоев InAlN, согласованных по параметру решетки с GaN. Продемонстрированы результаты выращивания гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/InAlN методом МЛЭ как с плазменной активацией азота, так и с использованием экстремально высокого потока аммиака.