Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 98–101 (Mi phts7191)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире

Д. А. Павлов, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (2030 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: В структурах кремний на сапфире методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии обнаружено формирование монокристаллического гексагонального политипа кремния. Возникновение включений со структурой, отличной от структуры алмаза, связывается с образованием в кристаллической решетке кремния областей интенсивного двойникования и скоплений дефектов упаковки, формирующих собственную кристаллическую структуру. Проведенные исследования указывают на принадлежность данной модификации к политипу кремния $9R$.
Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 1, Pages 95–98
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615010194
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Павлов, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров, “Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 98–101; Semiconductors, 49:1 (2015), 95–98
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavPirKri15}
\by Д.~А.~Павлов, А.~В.~Пирогов, Н.~О.~Кривулин, А.~И.~Бобров
\paper Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 98--101
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7191}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195073}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 95--98
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615010194}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7191
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i1/p98
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025