Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 102–106 (Mi phts7192)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Исследование $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света

С. М. Планкинаa, О. В. Вихроваb, Ю. А. Даниловb, Б. Н. Звонковb, И. Л. Калентьеваb, А. В. Неждановa, И. И. Чунинa, П. А. Юнинc

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (229 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Представлены результаты комплексных исследований $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs, выращенных сочетанием МОС-гидридной эпитаксии и лазерного осаждения. Методом конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света показано, что $\delta$-легированные низкотемпературные покровные слои GaAs демонстрируют более высокое кристаллическое качество, чем однородно легированные. Обнаружено рассеяние света на связанной фонон-плазмонной моде, появление которой обусловлено диффузией марганца из $\delta$-слоя. Определена толщина покровного слоя $d_c\approx$ 9–20 нм, оптимальная для получения максимальных интенсивности фотолюминесценции квантовой ямы и слоевой концентрации дырок вследствие легирования марганцем.
Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 1, Pages 99–103
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615010200
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, А. В. Нежданов, И. И. Чунин, П. А. Юнин, “Исследование $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 102–106; Semiconductors, 49:1 (2015), 99–103
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PlaVikDan15}
\by С.~М.~Планкина, О.~В.~Вихрова, Ю.~А.~Данилов, Б.~Н.~Звонков, И.~Л.~Калентьева, А.~В.~Нежданов, И.~И.~Чунин, П.~А.~Юнин
\paper Исследование $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 102--106
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7192}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195074}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 99--103
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615010200}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7192
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i1/p102
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025