Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 117–121 (Mi phts7195)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в $n$-GaAs, обусловленной остыванием электронов

В. Я. Алешкинab, С. В. Морозовab, В. В. Румянцевab, И. В. Тузовab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (170 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование временной зависимости примесной фотопроводимости в $n$-GaAs при импульсном оптическом возбуждении. Показано, что в первые 20 нс после фотовозбуждения изменение фотопроводимости определяется в основном процессами остывания электронов. Предложена теоретическая модель для описания наблюдаемых зависимостей.
Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 1, Pages 113–117
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615010030
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, В. В. Румянцев, И. В. Тузов, “Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в $n$-GaAs, обусловленной остыванием электронов”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 117–121; Semiconductors, 49:1 (2015), 113–117
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleMorRum15}
\by В.~Я.~Алешкин, С.~В.~Морозов, В.~В.~Румянцев, И.~В.~Тузов
\paper Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в $n$-GaAs, обусловленной остыванием электронов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 117--121
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7195}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195077}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 113--117
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615010030}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7195
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i1/p117
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025