Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 122–127 (Mi phts7196)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs

Ю. Ю. Романоваab, Е. П. Додинa, Ю. Н. Ноздринa, А. А. Бирюковc, Н. В. Байдусьc, Д. А. Павловb, Н. В. Малехоноваb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (392 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Приведены результаты комплексного анализа параметров полупроводниковой сверхрешетки GaAs/AlGaAs со сложной элементарной ячейкой с использованием математического моделирования и экспериментальных методов просвечивающей электронной микроскопии, энергодисперсионного анализа, спектроскопии фотолюминесценции и фототока. Показано подавление внутризонной статической отрицательной дифференциальной проводимости в условиях сильного взаимодействия между мини-зонами и негармонического закона дисперсии электронов.
Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 1, Pages 118–123
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615010236
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Ю. Романова, Е. П. Додин, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Бирюков, Н. В. Байдусь, Д. А. Павлов, Н. В. Малехонова, “Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 122–127; Semiconductors, 49:1 (2015), 118–123
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RomDodNoz15}
\by Ю.~Ю.~Романова, Е.~П.~Додин, Ю.~Н.~Ноздрин, А.~А.~Бирюков, Н.~В.~Байдусь, Д.~А.~Павлов, Н.~В.~Малехонова
\paper Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 122--127
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7196}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195078}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 118--123
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615010236}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7196
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i1/p122
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025