Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 134–137 (Mi phts7198)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Выращивание гетероэпитаксиальных структур EuO/Si и EuO/SrO/Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии

П. Е. Тетеринa, Д. В. Аверьяновab, Ю. Г. Cадофьевac, О. Е. Парфеновa, И. А. Лихачевa, В. Г. Сторчакa

a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
PDF полного текста (537 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Эпитаксиальные пленки EuO толщиной до 60 нм были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии как непосредственно на Si(001), так и с использованием буферного слоя SrO. Контроль кристаллического состояния пленок проводился in situ с помощью дифракции быстрых электронов. Высокое кристаллическое совершенство полученных пленок установлено ex situ методами рентгеновской дифрактометрии и обратного резерфордовского рассеяния.
Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 1, Pages 130–133
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261501025X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. Е. Тетерин, Д. В. Аверьянов, Ю. Г. Cадофьев, О. Е. Парфенов, И. А. Лихачев, В. Г. Сторчак, “Выращивание гетероэпитаксиальных структур EuO/Si и EuO/SrO/Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 134–137; Semiconductors, 49:1 (2015), 130–133
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TetAveSad15}
\by П.~Е.~Тетерин, Д.~В.~Аверьянов, Ю.~Г.~Cадофьев, О.~Е.~Парфенов, И.~А.~Лихачев, В.~Г.~Сторчак
\paper Выращивание гетероэпитаксиальных структур EuO/Si и EuO/SrO/Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 134--137
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7198}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195080}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 130--133
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261501025X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7198
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i1/p134
    Исправления
    Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025