Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 138–141 (Mi phts7199)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Характеристики диодных структур на основе фуллерена на полимерных и стеклянных подложках

В. В. Травкинa, Г. Л. Пахомовab, М. Н. Дроздовab, С. А. Королевa, А. И. Машинb, А. А. Логуновb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (280 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: В сандвич-структурах Al/C$_{60}$/ITO/подложка исследовано строение верхнего интерфейса Al/C$_{60}$ (Al – термически осажденный слой алюминия, С$_{60}$ – термически осажденный слой фуллерена, ITO – двойной оксид индия-олова, подложка – лавсан или стекло) методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии (TоF-SIMS) с анализом по глубине. Исследование стимулировано обнаруженными особенностями фотовольтаического эффекта в фуллеренсодержащих сандвич-структурах на стеклянных и полимерных подложках. Установлено, что химический состав верхнего интерфейса Al/C$_{60}$ на разных подложках неодинаков. Это приводит к различиям в параметрах фотопреобразования для более сложных тонкопленочных структур с молекулярным гетеропереходом.
Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 1, Pages 134–137
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615010261
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Травкин, Г. Л. Пахомов, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, А. И. Машин, А. А. Логунов, “Характеристики диодных структур на основе фуллерена на полимерных и стеклянных подложках”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 138–141; Semiconductors, 49:1 (2015), 134–137
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TraPakDro15}
\by В.~В.~Травкин, Г.~Л.~Пахомов, М.~Н.~Дроздов, С.~А.~Королев, А.~И.~Машин, А.~А.~Логунов
\paper Характеристики диодных структур на основе фуллерена на полимерных и стеклянных подложках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 138--141
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7199}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195081}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 134--137
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615010261}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7199
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i1/p138
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025