Зарождение и рост упорядоченных групп квантовых точек SiGe

Развит подход к формированию упорядоченных групп наноостровков Ge (квантовых точек) при эпитаксии на поверхности гетероструктуры, представляющей собой подложку Si(100) с предварительно сформированными на ней затравками в виде нанодисков SiGe. Установлено, что наблюдаемое расположение квантовых точек в пределах группы обусловлено анизотропным характером распределения энергии упругой деформации на поверхности нанодиска SiGe, а именно существованием 4 локальных минимумов энергии, упорядоченно расположенных вдоль направлений типа [100] и [010] относительно центра затравки. На основе предложенного подхода выращены многослойные структуры с вертикально-совмещенными группами квантовых точек. Кристаллическая структура и элементный состав пространственно упорядоченных наноструктур исследовались с помощью методов просвечивающей электронной микроскопии, рентгеновской дифракции и спектроскопии комбинационного рассеяния света.