Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs

Исследованы особенности фотолюминесценции и электрофизические свойства легированных наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащей тонкую вставку InAs толщиной от 1.7 до 3.0 нм в центре. Установлено, что положение максимумов на спектрах фотолюминесценции в области энергий фотонов 0.6–0.8 эВ отслеживает изменение толщины вставки InAs. Моделирование зонной структуры показало, что наблюдаемое изменение энергии оптических переходов связано с понижением энергии электронных и дырочных состояний в квантовой яме при увеличении толщины вставки. В диапазоне энергий фотонов 1.24–1.38 эВ обнаружены оптические переходы от области интерфейса “буфер InAlAs-подложка InP”. Энергия и интенсивность сигнала зависят от особенностей формирования данной гетерограницы и условий отжига подложки. Предполагается, что это связано с образованием переходной области между буфером InAlAs и подложкой.