Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2, страницы 249–253 (Mi phts7218)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Терагерцовая генерация, обусловленная новыми эффектами в естественной сверхрешетке 6H-SiC

В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Показано, что в естественной сверхрешетке 6H-SiC существуют два параллельно действующих канала электролюминесценции в ТГц диапазоне: 1) узкие линии на частотах 1.6–2.3 ТГц и 2) более широкие линии на частотах около 3.25 ТГц. Первый канал объясняется переходами между локализованными состояниями ваннье-штарковской лестницы (ВШЛ) в режиме блоховских осцилляций в первой мини-зоне зоны проводимости в точке М гексагональной зоны Бриллюэна. Вторая область предположительно вызвана переходами между ваннье-штарковскими лестницами, образованными в результате смешивания электрическим полем вырожденных состояний зоны проводимости в точке K гексагональной зоны Бриллюэна. Минимум зоны проводимости в точке K расположен на 100–200 мэВ выше минимума зоны проводимости в точке М.
Поступила в редакцию: 10.06.2014
Принята в печать: 18.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 2, Pages 242–246
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615020190
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров, “Терагерцовая генерация, обусловленная новыми эффектами в естественной сверхрешетке 6H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 249–253; Semiconductors, 49:2 (2015), 242–246
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SanAndZah15}
\by В.~И.~Санкин, А.~В.~Андрианов, А.~О.~Захарьин, А.~Г.~Петров
\paper Терагерцовая генерация, обусловленная новыми эффектами в естественной сверхрешетке 6\emph{H}-SiC
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 2
\pages 249--253
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7218}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195100}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 2
\pages 242--246
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615020190}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7218
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i2/p249
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025