|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2, страницы 249–253
(Mi phts7218)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Терагерцовая генерация, обусловленная новыми эффектами в естественной сверхрешетке 6H-SiC
В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Показано, что в естественной сверхрешетке 6H-SiC существуют два параллельно действующих канала электролюминесценции в ТГц диапазоне: 1) узкие линии на частотах 1.6–2.3 ТГц и 2) более широкие линии на частотах около 3.25 ТГц. Первый канал объясняется переходами между локализованными состояниями ваннье-штарковской лестницы (ВШЛ) в режиме блоховских осцилляций в первой мини-зоне зоны проводимости в точке М гексагональной зоны Бриллюэна. Вторая область предположительно вызвана переходами между ваннье-штарковскими лестницами, образованными в результате смешивания электрическим полем вырожденных состояний зоны проводимости в точке K гексагональной зоны Бриллюэна. Минимум зоны проводимости в точке K расположен на 100–200 мэВ выше минимума зоны проводимости в точке М.
Поступила в редакцию: 10.06.2014 Принята в печать: 18.06.2014
Образец цитирования:
В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров, “Терагерцовая генерация, обусловленная новыми эффектами в естественной сверхрешетке 6H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 249–253; Semiconductors, 49:2 (2015), 242–246
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7218 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i2/p249
|
|