|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2, страницы 254–260
(Mi phts7219)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au
К. Г. Беляев, А. А. Усикова, В. Н. Жмерик, П. С. Копьев, С. В. Иванов, А. А. Торопов, П. Н. Брунков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Существенное (до 7 раз) увеличение внутренней квантовой эффективности люминесценции получено при комнатной температуре в гибридных структурах полупроводник-металл-диэлектрик, изготовленных в результате последовательного напыления золота и Si$_3$N$_4$ поверх массива наноблоков InGaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Наблюдаемый эффект может быть объяснен резонансным взаимодействием экситонов, локализованных в наноблоках InGaN, с локализованными модами поверхностных плазмонов в интрузиях золота, окруженных InGaN и Si$_3$N$_4$.
Поступила в редакцию: 12.06.2014 Принята в печать: 08.07.2014
Образец цитирования:
К. Г. Беляев, А. А. Усикова, В. Н. Жмерик, П. С. Копьев, С. В. Иванов, А. А. Торопов, П. Н. Брунков, “Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 254–260; Semiconductors, 49:2 (2015), 247–253
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7219 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i2/p254
|
|