Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2, страницы 266–270 (Mi phts7221)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Адаптация модели туннелирования в системе металл/CaF$_2$/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов

М. И. Векслерa, Ю. Ю. Илларионовab, С. Э. Тягиновab, T. Grasserb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna 1040, Austria
PDF полного текста (202 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Предложен вариант упрощения модели туннельного переноса электронов через тонкий слой кристаллического фторида кальция в кремний (111) для последующей имплементации в симуляторы полупроводниковых приборов. Состоятельность подхода доказана сопоставлением данных моделирования по упрощенным формулам с точными расчетами и экспериментальными данными. Подход применим для вычисления туннельных токов в структурах с любыми кристаллическими диэлектриками на Si (111).
Поступила в редакцию: 20.05.2014
Принята в печать: 20.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 2, Pages 259–263
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615020207
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. И. Векслер, Ю. Ю. Илларионов, С. Э. Тягинов, T. Grasser, “Адаптация модели туннелирования в системе металл/CaF$_2$/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 266–270; Semiconductors, 49:2 (2015), 259–263
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VexIllTya15}
\by М.~И.~Векслер, Ю.~Ю.~Илларионов, С.~Э.~Тягинов, T.~Grasser
\paper Адаптация модели туннелирования в системе металл/CaF$_2$/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 2
\pages 266--270
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7221}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195103}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 2
\pages 259--263
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615020207}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7221
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i2/p266
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025