Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2, страницы 278–282 (Mi phts7223)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Доминирующие факторы лазерного геттерирования кремниевых пластин

Ю. И. Боханa, В. С. Каменковb, Н. К. Толочкоc

a Витебский государственный университет им. П. М. Машерова
b НПДРУП "Спектркомплекс", Витебск
c Белорусский государственный аграрный технический университет, г. Минск
PDF полного текста (1174 kB) Список цитирования (11)
Аннотация: Экспериментально исследовано лазерное геттерирование кремниевых пластин. Рассмотрены типичные параметры процесса геттерирования. Проведены микроскопические исследования обработанных лазерным излучением поверхностей кремниевых пластин. При воздействии лазерного излучения на кремниевые полупроводниковые пластины в процессе геттерирования была выделена группа факторов, определяющих условия взаимодействия лазерного луча с поверхностью кремниевой пластины и влияющих на конечный результат обработки. Определены главные факторы, определяющие эффективность геттерирования. Установлены ограничения получения требуемого значения емкости геттерного слоя на поверхностях с недостаточной чистотой поверхности, например, шлифованной или “матовой”.
Поступила в редакцию: 06.03.2014
Принята в печать: 16.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 2, Pages 270–273
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615020050
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. И. Бохан, В. С. Каменков, Н. К. Толочко, “Доминирующие факторы лазерного геттерирования кремниевых пластин”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 278–282; Semiconductors, 49:2 (2015), 270–273
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BokKamTol15}
\by Ю.~И.~Бохан, В.~С.~Каменков, Н.~К.~Толочко
\paper Доминирующие факторы лазерного геттерирования кремниевых пластин
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 2
\pages 278--282
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7223}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195105}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 2
\pages 270--273
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615020050}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7223
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i2/p278
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025