Управление морфологией AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках Si(111)

Приведены результаты исследований кинетики роста слоев AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота с использованием подложек Si(111). Показана возможность роста отдельных наноколонн AlN/Si(111) при использовании условий роста с обогащением поверхности металлом, вблизи режима образования капель Al при температуре подложки, близкой к максимальной при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота ($T_s\approx$ 850$^\circ$C). Показана возможность роста гладких слоев AlN на наноколончатом буфере AlN/Si(111) при использовании $T_s\approx$ 750$^\circ$C и условий роста, обеспечивающих обогащение металлом.