Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3, страницы 289–293 (Mi phts7225)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Электронные свойства полупроводников

First principles calculations of structure parameters and transition pressures of GaN$_{1-x}$Bi$_x$ alloys

R. Alayaa, M. Mbarkib, A. Rebeya

a University of Monastir-Unité de Recherche sur les Hétéro-Epitaxies et Applications. Faculté des Sciences de Monastir 5019, Tunisia
b University of Gabés-Laboratoire de Physique des matériaux et nanomatériaux appliquée á l’environnement. Faculté des Sciences de Gabés 6072, Tunisia
Аннотация: In this work, we have studied the structural properties of GaN$_{1-x}$Bi$_x$ ternary alloys using the pseudopotentiel method. We have calculated properties of these alloys in zinc blende, rocksalt and wurtzite structures at atmospheric and under hydrostatic pressure. The calculated lattice parameters increase by increasing bismuth composition, while a little deviation from Vegard's law is observed. We have shown that for $x$ = 0 and 0.25, the wurtzite phase is the most stable, whereas for Bi concentration 0.375, 0.5, 0.75 and 1 the zinc blende phase is the most stable one. We have calculated for each case the transition pressure and we have found that our calculated values were in good agreement with those in the literature.
Поступила в редакцию: 01.04.2014
Принята в печать: 14.04.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 3, Pages 279–284
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615030021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: R. Alaya, M. Mbarki, A. Rebey, “First principles calculations of structure parameters and transition pressures of GaN$_{1-x}$Bi$_x$ alloys”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 289–293; Semiconductors, 49:3 (2015), 279–284
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlaMbaReb15}
\by R.~Alaya, M.~Mbarki, A.~Rebey
\paper First principles calculations of structure parameters and transition pressures of GaN$_{1-x}$Bi$_x$ alloys
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 289--293
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7225}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195107}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 279--284
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615030021}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7225
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i3/p289
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025