Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3, страницы 307–313 (Mi phts7228)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Позитроника радиационно-индуцированных эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках

О. Шпотюкab, С. А. Козюхинcd, М. Шпотюкae, А. Инграмf, Р. Шатаникg

a Научно-производственное предприятие "Карат", г. Львов
b Академия им. Яна Длугоша, 42200 Ченстохова, Польша
c Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва
d Томский государственный университет
e Национальный университет ``Львовская политехника''
f Опольский технический университет, 45370 Ополе, Польша
g Опольский университет, 45040 Ополе, Польша
PDF полного текста (726 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: На примере стекол As$_2$S$_3$ и AsS$_2$ доказана принципиальная возможность использования методов позитронной аннигиляционной спектроскопии для изучения эволюции свободного объема нанообъектов пустоты в халькогенидных стеклообразных полупроводниках под воздействием радиационного излучения. Результаты, полученные методами временного распределения аннигиляционных фотонов и доплеровского уширения аннигиляционной линии в обратной хронологии, полностью согласуются с данными оптической спектроскопии в области края фундаментального поглощения, адекватно описываясь в рамках моделей координационного дефектообразования и физического старения.
Поступила в редакцию: 15.04.2014
Принята в печать: 22.04.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 3, Pages 298–304
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615030197
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Шпотюк, С. А. Козюхин, М. Шпотюк, А. Инграм, Р. Шатаник, “Позитроника радиационно-индуцированных эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 307–313; Semiconductors, 49:3 (2015), 298–304
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShpKozShp15}
\by О.~Шпотюк, С.~А.~Козюхин, М.~Шпотюк, А.~Инграм, Р.~Шатаник
\paper Позитроника радиационно-индуцированных эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 307--313
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7228}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195110}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 298--304
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615030197}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7228
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i3/p307
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025