Исследование поверхностного потенциала в области $V$-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ

Методами атомно-силовой микроскопии проведено исследование распределения контактной разности потенциалов (поверхностного потенциала) эпитаксиальных пленок Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изменение состава твердого раствора в области $V$-дефекта приводит к изменению величины контактной разности потенциалов. Показано, что в области $V$-дефекта состав твердого раствора изменяется на $\sim$ 0.05 (2.5 ат.%) в сторону увеличения содержания ртути, а по периферии $V$-дефекта наблюдается область обеднения ртутью на 0.36 ат.