Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3, страницы 342–348 (Mi phts7234)  
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой

С. В. Сорокинa, С. В. Гронинa, И. В. Седоваa, М. В. Рахлинa, М. В. Байдаковаa, П. С. Копьевa, А. Г. Вайниловичb, Е. В. Луценкоb, Г. П. Яблонскийb, Н. А. Гамовb, Е. В. Ждановаc, М. М. Зверевc, С. С. Рувимовad, С. В. Ивановa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
c МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва
d Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, IN 46556 Notre Dame, USA
PDF полного текста (769 kB) Список цитирования (15)
Аннотация: Рассмотрены основные подходы при конструировании и выращивании методом молекулярно-пучковой эпитаксии лазерных гетероструктур на основе системы (Zn,Mg)(S,Se) с множественными плоскостями квантовых точек CdSe или квантовых ям ZnCdSe. Приведена методика расчета компенсирующих короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/ZnSe в активной и волноводной областях лазерных гетероструктур для структур с различной толщиной волновода и числом активных областей. Предложен способ уменьшения плотности неравновесных точечных дефектов в активной области лазерных структур A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ посредством использования режима эпитаксии с повышенной миграцией при выращивании квантовой ямы ZnSe, ограничивающей плоскость квантовых точек CdSe. Продемонстрировано рекордно низкое значение пороговой плотности мощности ($P_{\mathrm{thr}}\sim$ 0.8 кВт/см$^2$) при комнатной температуре для гетероструктуры лазера с оптической накачкой с одиночной плоскостью квантовых точек CdSe/ZnSe.
Поступила в редакцию: 10.07.2014
Принята в печать: 25.08.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 3, Pages 331–336
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615030215
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, М. В. Рахлин, М. В. Байдакова, П. С. Копьев, А. Г. Вайнилович, Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, С. С. Рувимов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 342–348; Semiconductors, 49:3 (2015), 331–336
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SorGroSed15}
\by С.~В.~Сорокин, С.~В.~Гронин, И.~В.~Седова, М.~В.~Рахлин, М.~В.~Байдакова, П.~С.~Копьев, А.~Г.~Вайнилович, Е.~В.~Луценко, Г.~П.~Яблонский, Н.~А.~Гамов, Е.~В.~Жданова, М.~М.~Зверев, С.~С.~Рувимов, С.~В.~Иванов
\paper Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 342--348
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7234}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195117}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 331--336
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615030215}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7234
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i3/p342
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025