Электронно-микроскопические исследования слоя алюминия, выращенного на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия

Методами просвечивающей электронной микроскопии исследован тонкий слой Al, выращенный методом молекулярно-пучковой эпитаксии на разориентированной подложке GaAs(100). Электронографические данные, светлопольные, темнопольные и высокоразрешающие изображения позволили установить наличие в слое зерен Al трех ориентаций: Al(100), Al(110), Al(110)R. Особенности структуры границы между зернами различной ориентации и подложкой изучены с применением цифровой обработки высокоразрешающих изображений. На основе количественного анализа темнопольных изображений определены относительные доли и размеры зерен разных ориентаций. Установлено, что по сравнению со слоем, выращенным на сингулярной подложке, наличие атомных ступеней на ее поверхности обусловливает увеличение доли и размера зерен Al(110)R и уменьшение доли зерен Al(100).