Фотоэлектрические характеристики структур металл – Ga$_2$O$_3$–GaAs

Исследовано влияние термического отжига в аргоне и воздействие кислородной плазмы на фотоэлектрические свойства структур GaAs–Ga$_2$O$_3$–Me. Пленки оксида галлия получали фотостимулированным электрохимическим окислением эпитаксиальных слоев арсенида галлия $n$-типа проводимости. После нанесения оксидные пленки были аморфными, но обработка в кислородной плазме приводила к зарождению кристаллитов $\beta$-Ga$_2$O$_3$. Пленки, не подвергнутые термическому отжигу, оказываются непрозрачными в видимом и УФ диапазонах, a в структурах на основе таких пленок отсутствует фототок. После отжига при 900oC в течение 30 мин пленки оксида галлия содержат только кристаллиты Ga$_2$O$_3$ $\beta$-фазы и становятся прозрачными. При освещении Ga$_2$O$_3$–GaAs-структур в видимом диапазоне появляется фототок. Эффект можно объяснить поглощением излучения в GaAs. Величина фототока и его зависимость от напряжения определяются временем экспозиции в кислородной плазме. В УФ диапазоне чувствительность структур возрастает с уменьшением длины волны излучения, начиная с $\lambda\le$ 230 нм. Это связано с поглощением в пленке Ga$_2$O$_3$. Уменьшение чувствительности структур с увеличением длительности воздействия кислородной плазмы может быть за счет введения дефектов как на границе Ga$_2$O$_3$–GaAs, так и в пленке Ga$_2$O$_3$.