Оптические исследования вертикального транспорта носителей в переменно-напряженной сверхрешетке ZnS$_{0.4}$Se$_{0.6}$/CdSe

Представлены результаты теоретического проектирования и экспериментальных оптических исследований переменно-напряженной сверхрешетки (СР) CdSe/ZnS$_y$Se$_{1-y}$ ($y\approx$ 0.4) с эффективной шириной запрещенной зоны $E_g^{\mathrm{eff}}\sim$ 2.580 эВ и толщиной $\sim$ 300 нм, изготовленной методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs. Толщины и состав слоев сверхрешетки определялись на основании расчетов параметров мини-зон, исходя из условий решеточного согласования сверхрешетки как целой с подложкой GaAs и достижения высокой эффективности транспорта фотовозбужденных носителей вдоль оси роста структуры. Фотолюминесцентные исследования транспортных свойств структуры, включающей сверхрешетку с одной расширенной квантовой ямой, показали, что характерное время диффузии носителей при 300 K оказывается существенно меньше времен, определяемых рекомбинационными процессами. Такие свехрешетки представляются перспективными для формирования широкозонной фотоактивной области многопереходного солнечного элемента, объединяющего соединения групп A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ и A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$.