Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3, страницы 376–378 (Mi phts7239)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрические свойства структур Pd-оксид-InP

Е. А. Гребенщиковаa, В. В. Евстроповa, Н. Д. Ильинскаяa, Ю. С. Мельниковb, О. Ю. Серебренниковаa, В. Г. Сидоровb, В. В. Шерстневa, Ю. П. Яковлевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (257 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: С целью создания датчика водорода, способного эффективно работать при комнатной температуре, изготовлены МОП структуры Pd-анодный оксид-InP. Изучены механизмы проводимости структур при 100–300 K. Установлено, что оксид ведет себя как омическое сопротивление, а выпрямляющие свойства структур определяются потенциальным барьером на границе оксид-InP с термотуннельным механизмом проводимости. Структуры существенно изменяют свои характеристики в присутствии водорода в окружающей среде.
Поступила в редакцию: 18.08.2014
Принята в печать: 25.08.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 3, Pages 364–366
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615030094
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Гребенщикова, В. В. Евстропов, Н. Д. Ильинская, Ю. С. Мельников, О. Ю. Серебренникова, В. Г. Сидоров, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Электрические свойства структур Pd-оксид-InP”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 376–378; Semiconductors, 49:3 (2015), 364–366
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GreEvsIli15}
\by Е.~А.~Гребенщикова, В.~В.~Евстропов, Н.~Д.~Ильинская, Ю.~С.~Мельников, О.~Ю.~Серебренникова, В.~Г.~Сидоров, В.~В.~Шерстнев, Ю.~П.~Яковлев
\paper Электрические свойства структур Pd-оксид-InP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 376--378
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7239}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195122}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 364--366
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615030094}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7239
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i3/p376
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025