Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3, страницы 379–384 (Mi phts7240)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

К. Д. Мынбаевab, А. В. Шиляевa, Н. Л. Баженовa, А. И. Ижнинcd, И. И. Ижнинc, Н. Н. Михайловe, В. С. Варавинe, С. А. Дворецкийed

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Научно-производственное предприятие "Карат", г. Львов
d Национальный исследовательский Томский государственный университет
e Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (216 kB) Список цитирования (11)
Аннотация: Методом фотолюминесценции исследованы акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Сопоставление спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев, выращенных на подложках GaAs (CdHgTe/GaAs), со спектрами гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe/Si показало, что специфическими для гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe/GaAs являются акцепторные центры с энергией залегания около 18 и 27 мэВ. Обсуждается возможная природа обнаруженных состояний и ее связь с условиями синтеза гетероэпитаксиальных слоев и, в частности, с вакансионным легированием, происходящим в условиях дефицита ртути при эпитаксии и постростовой обработке.
Поступила в редакцию: 02.09.2014
Принята в печать: 08.09.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 3, Pages 367–372
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615030148
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. Д. Мынбаев, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, А. И. Ижнин, И. И. Ижнин, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 379–384; Semiconductors, 49:3 (2015), 367–372
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MynShiBaz15}
\by К.~Д.~Мынбаев, А.~В.~Шиляев, Н.~Л.~Баженов, А.~И.~Ижнин, И.~И.~Ижнин, Н.~Н.~Михайлов, В.~С.~Варавин, С.~А.~Дворецкий
\paper Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 379--384
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7240}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195123}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 367--372
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615030148}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7240
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i3/p379
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025