|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3, страницы 392–398
(Mi phts7242)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Кинетика фотолюминесценции нанокластеров CdS, сформированных методом Ленгмюра–Блоджетт
А. А. Зарубановa, К. С. Журавлевab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Иследована кинетика фотолюминесценции нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра–Блоджетт, при температуре 5 K. Кинетика фотолюминесценции описывается суммой двух экспонент, с характерными временами около 30 и 160 нс. Обнаружено, что быстрое и медленное времена затухания возрастают с увеличением размера нанокристаллов. Анализ данных показал, что быстрое время затухания определяется рекомбинацией трионов в нанокристаллах с дефектами, а медленное время затухания – рекомбинацией оптически неактивных экситонов в нанокристаллах без дефектов. Установлено, что с уменьшением размера нанокристаллов снижается доля дефектных нанокристаллов вследствие увеличения энергии образования дефектов.
Поступила в редакцию: 04.08.2014 Принята в печать: 25.08.2014
Образец цитирования:
А. А. Зарубанов, К. С. Журавлев, “Кинетика фотолюминесценции нанокластеров CdS, сформированных методом Ленгмюра–Блоджетт”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 392–398; Semiconductors, 49:3 (2015), 380–386
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7242 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i3/p392
|
|