Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3, страницы 399–405 (Mi phts7243)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge

Д. О. Филатовa, А. П. Горшковb, Н. С. Волковаb, Д. В. Гусейновb, Н. А. Алябинаa, М. М. Ивановаc, В. Ю. Чалковa, С. А. Денисовa, В. Г. Шенгуровa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова
PDF полного текста (589 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Исследована зависимость спектров фоточувствительности фотодиодов на основе Si $p$–$i$–$n$-структур с одно- и многослойными массивами самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001) в $i$-области, выращенных комбинированным методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge, от температуры, напряжения смещения на диоде и параметров наноостровков GeSi. Показано, что зависимость фоточувствительности диодов в спектральной области межзонного оптического поглощения наноостровков GeSi от температуры и напряжения смещения определяется соотношением скорости эмиссии фотовозбужденных дырок из наноостровков GeSi и скорости рекомбинации избыточных носителей в островках. Показана возможность определения рекомбинационного времени жизни дырок в наноостровках GeSi из температурных и полевых зависимостей фоточувствительности.
Поступила в редакцию: 20.05.2014
Принята в печать: 03.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 3, Pages 387–393
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615030082
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. О. Филатов, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. В. Гусейнов, Н. А. Алябина, М. М. Иванова, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, В. Г. Шенгуров, “Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 399–405; Semiconductors, 49:3 (2015), 387–393
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FilGorVol15}
\by Д.~О.~Филатов, А.~П.~Горшков, Н.~С.~Волкова, Д.~В.~Гусейнов, Н.~А.~Алябина, М.~М.~Иванова, В.~Ю.~Чалков, С.~А.~Денисов, В.~Г.~Шенгуров
\paper Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 399--405
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7243}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195126}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 387--393
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615030082}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7243
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i3/p399
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025