|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3, страницы 406–412
(Mi phts7244)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние наноразмерных слоев диоксида олова на эффективность пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe
Г. С. Хрипуновab, А. В. Пироговab, Т. А. Горсткаab, В. А. Новиковab, Н. А. Ковтунab a Харьковский политехнический институт, 61002 Харьков, Украина
b Государственный университет им. Т. Шевченко, 03680 Киев, Украина
Аннотация:
C целью оптимизации конструктивно-технологических решений фронтальных электродов были проведены сопоставительные исследования выходных параметров и световых диодных характеристик пленочных солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au и SnO$_2$ : F/CdS/CdTe/Cu/Au. Установлено, что большее напряжение и больший фактор заполнения солнечных элементов при использовании в конструкции пленок SnO$_2$ : F обусловлены меньшими значениями плотности диодного тока насыщения и последовательного сопротивления, что обусловлено устойчивостью кристаллической структуры и электрических свойств этих пленок к “хлоридной” обработке базового слоя при изготовлении приборной структуры. В то же время солнечные элементы с фронтальным электродом ITO имеют большую плотность тока короткого замыкания, что обусловлено большим средним коэффициентом пропускания слоев ITO. Использование в конструкции фронтальных контактов ITO наноразмерных слоев SnO$_2$ позволяет увеличить эффективность солнечных элементов на основе CdS/CdTe до 11.4% за счет стабилизации кристаллической структуры и электрических свойств пленок ITO, а также возможности снижения толщины слоя сульфида кадмия без шунтирования приборной структуры.
Поступила в редакцию: 08.04.2014 Принята в печать: 16.06.2014
Образец цитирования:
Г. С. Хрипунов, А. В. Пирогов, Т. А. Горстка, В. А. Новиков, Н. А. Ковтун, “Влияние наноразмерных слоев диоксида олова на эффективность пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 406–412; Semiconductors, 49:3 (2015), 394–400
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7244 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i3/p406
|
|