Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3, страницы 406–412 (Mi phts7244)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние наноразмерных слоев диоксида олова на эффективность пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe

Г. С. Хрипуновab, А. В. Пироговab, Т. А. Горсткаab, В. А. Новиковab, Н. А. Ковтунab

a Харьковский политехнический институт, 61002 Харьков, Украина
b Государственный университет им. Т. Шевченко, 03680 Киев, Украина
Аннотация: C целью оптимизации конструктивно-технологических решений фронтальных электродов были проведены сопоставительные исследования выходных параметров и световых диодных характеристик пленочных солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au и SnO$_2$ : F/CdS/CdTe/Cu/Au. Установлено, что большее напряжение и больший фактор заполнения солнечных элементов при использовании в конструкции пленок SnO$_2$ : F обусловлены меньшими значениями плотности диодного тока насыщения и последовательного сопротивления, что обусловлено устойчивостью кристаллической структуры и электрических свойств этих пленок к “хлоридной” обработке базового слоя при изготовлении приборной структуры. В то же время солнечные элементы с фронтальным электродом ITO имеют большую плотность тока короткого замыкания, что обусловлено большим средним коэффициентом пропускания слоев ITO. Использование в конструкции фронтальных контактов ITO наноразмерных слоев SnO$_2$ позволяет увеличить эффективность солнечных элементов на основе CdS/CdTe до 11.4% за счет стабилизации кристаллической структуры и электрических свойств пленок ITO, а также возможности снижения толщины слоя сульфида кадмия без шунтирования приборной структуры.
Поступила в редакцию: 08.04.2014
Принята в печать: 16.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 3, Pages 394–400
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615030112
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. С. Хрипунов, А. В. Пирогов, Т. А. Горстка, В. А. Новиков, Н. А. Ковтун, “Влияние наноразмерных слоев диоксида олова на эффективность пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 406–412; Semiconductors, 49:3 (2015), 394–400
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhrPirGor15}
\by Г.~С.~Хрипунов, А.~В.~Пирогов, Т.~А.~Горстка, В.~А.~Новиков, Н.~А.~Ковтун
\paper Влияние наноразмерных слоев диоксида олова на эффективность пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 406--412
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7244}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195127}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 394--400
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615030112}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7244
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i3/p406
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025