Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3, страницы 421–425 (Mi phts7247)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/ SiO$_x$/$\dots$/Si(100) по данным синхротронных исследований и фотолюминесценции

С. Ю. Турищевa, В. А. Тереховa, Д. А. Коюдаa, Д. Е. Спиринa, Е. В. Париноваa, Д. Н. Нестеровa, Д. А. Грачевb, И. А. Карабановаb, А. В. Ершовb, А. И. Машинb, Э. П. Домашевскаяa

a Воронежский государственный университет
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (171 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Представлены результаты исследования методом спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения ($X$-ray absorption near edge structure spectroscopy technique, XANES) с использованием синхротронного излучения многослойных нанопериодических структур (МНС) Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/$\dots$/Si(100), отожженных при температурах 500–1100$^\circ$C. По данным XANES, обнаружена модификация структур под действием высокотемпературного ($\sim$ 1100$^\circ$C) отжига, объясняемая формированием нанокристаллов кремния в глубинных слоях. При этом наноструктуры характеризовались интенсивной размерно-зависимой фотолюминесценцией в области энергий $\sim$ (1.4–1.52) эВ.
Поступила в редакцию: 22.04.2014
Принята в печать: 12.05.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 3, Pages 409–413
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615030227
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. А. Коюда, Д. Е. Спирин, Е. В. Паринова, Д. Н. Нестеров, Д. А. Грачев, И. А. Карабанова, А. В. Ершов, А. И. Машин, Э. П. Домашевская, “Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/ SiO$_x$/$\dots$/Si(100) по данным синхротронных исследований и фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 421–425; Semiconductors, 49:3 (2015), 409–413
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TurTerKoy15}
\by С.~Ю.~Турищев, В.~А.~Терехов, Д.~А.~Коюда, Д.~Е.~Спирин, Е.~В.~Паринова, Д.~Н.~Нестеров, Д.~А.~Грачев, И.~А.~Карабанова, А.~В.~Ершов, А.~И.~Машин, Э.~П.~Домашевская
\paper Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/ SiO$_x$/$\dots$/Si(100) по данным синхротронных исследований и фотолюминесценции
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 421--425
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7247}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195130}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 3
\pages 409--413
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615030227}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7247
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i3/p421
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025