Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4, страницы 435–439 (Mi phts7251)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Тонкая структура спектров сечения неупругого рассеяния электронов и поверхностный параметр Si

А. С. Паршинa, А. Ю. Игуменовa, Ю. Л. Михлинb, О. П. Пчеляковc, А. И. Никифоровc, В. А. Тимофеевc

a Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, Красноярск
b Институт химии и химической технологии СО РАН, г. Красноярск
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (506 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Спектры потерь энергии отраженных электронов получены для серии образцов Si, приготовленных при различных технологических условиях, имеющих разную кристаллографическую ориентацию. Из этих экспериментальных спектров вычислены зависимости произведения средней длины неупругого пробега и дифференциального сечения неупругого рассеяния электронов от потерь энергии электронов. Предложен метод анализа спектров сечения неупругого рассеяния электронов посредством моделирования экспериментальных спектров с помощью трехпараметрических универсальных функций сечения Тоугаарда. Результаты моделирования применены для определения природы пиков потерь и расчета поверхностного параметра.
Поступила в редакцию: 04.08.2014
Принята в печать: 25.08.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 4, Pages 423–427
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261504017X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Паршин, А. Ю. Игуменов, Ю. Л. Михлин, О. П. Пчеляков, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, “Тонкая структура спектров сечения неупругого рассеяния электронов и поверхностный параметр Si”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 435–439; Semiconductors, 49:4 (2015), 423–427
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ParIguMik15}
\by А.~С.~Паршин, А.~Ю.~Игуменов, Ю.~Л.~Михлин, О.~П.~Пчеляков, А.~И.~Никифоров, В.~А.~Тимофеев
\paper Тонкая структура спектров сечения неупругого рассеяния электронов и поверхностный параметр Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 4
\pages 435--439
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7251}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195133}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 4
\pages 423--427
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261504017X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7251
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i4/p435
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025