|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4, страницы 440–443
(Mi phts7252)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Низкотемпературная проводимость в монокристаллах CuGaS$_2$
Н. А. Абдуллаев, Х. В. Алигулиева, Л. Н. Алиева, И. Гасымоглу, Т. Г. Керимова Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджанской Республики, Az-1143 Баку, Азербайджан
Аннотация:
Методом Бриджмена–Стокбаргера получены монокристаллы CuGaS$_2$, проведены рентгено-дифракционные и рамановские исследования. Показано, что при низких температурах проводимость имеет активационный характер: в области 100–300 K доминирует примесная проводимость с энергией активации акцепторов 12 мэВ, а при температурах ниже 100 K – моттовская проводимость, так называемая прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность локализованных состояний, средняя длина прыжка носителей заряда.
Поступила в редакцию: 16.04.2014 Принята в печать: 12.05.2014
Образец цитирования:
Н. А. Абдуллаев, Х. В. Алигулиева, Л. Н. Алиева, И. Гасымоглу, Т. Г. Керимова, “Низкотемпературная проводимость в монокристаллах CuGaS$_2$”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 440–443; Semiconductors, 49:4 (2015), 428–431
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7252 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i4/p440
|
|