|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4, страницы 444–448
(Mi phts7253)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te : учет оже-процессов
Н. Л. Баженовa, К. Д. Мынбаевab, Г. Г. Зегряa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
В рамках микроскопической модели анализируется температурная зависимость времени жизни носителей заряда в твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te в температурном диапазоне 5 $<T<$ 300 K для составов с узкой запрещенной зоной. Основное внимание уделено анализу механизма оже-рекомбинации, который определяет время жизни при высоких температурах. Выполнен расчет скорости оже-рекомбинации с учетом особенностей зонной структуры узкощелевого полупроводника в рамках микроскопической теории. Показано, что строгий учет непараболичности энергетического спектра носителей заряда в рамках модели Кейна приводит к существенно другой температурной зависимости скорости оже-рекомбинации по сравнению с полученной в рамках подхода, в котором непараболичность не учитывается.
Поступила в редакцию: 23.07.2014 Принята в печать: 03.09.2014
Образец цитирования:
Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря, “Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te : учет оже-процессов”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 444–448; Semiconductors, 49:4 (2015), 432–436
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7253 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i4/p444
|
|