Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4, страницы 444–448 (Mi phts7253)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te : учет оже-процессов

Н. Л. Баженовa, К. Д. Мынбаевab, Г. Г. Зегряa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация: В рамках микроскопической модели анализируется температурная зависимость времени жизни носителей заряда в твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te в температурном диапазоне 5 $<T<$ 300 K для составов с узкой запрещенной зоной. Основное внимание уделено анализу механизма оже-рекомбинации, который определяет время жизни при высоких температурах. Выполнен расчет скорости оже-рекомбинации с учетом особенностей зонной структуры узкощелевого полупроводника в рамках микроскопической теории. Показано, что строгий учет непараболичности энергетического спектра носителей заряда в рамках модели Кейна приводит к существенно другой температурной зависимости скорости оже-рекомбинации по сравнению с полученной в рамках подхода, в котором непараболичность не учитывается.
Поступила в редакцию: 23.07.2014
Принята в печать: 03.09.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 4, Pages 432–436
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615040065
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря, “Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te : учет оже-процессов”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 444–448; Semiconductors, 49:4 (2015), 432–436
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BazMynZeg15}
\by Н.~Л.~Баженов, К.~Д.~Мынбаев, Г.~Г.~Зегря
\paper Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te : учет оже-процессов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 4
\pages 444--448
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7253}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195135}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 4
\pages 432--436
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615040065}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7253
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i4/p444
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025