Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса

Проведен анализ особенностей частотной зависимости импеданса неупорядоченных полупроводников при низких температурах для прыжкового механизма проводимости. Основное внимание уделено наблюдаемым расхождениям между экспериментом и существующей теорией, связанным с видом частотной зависимости вещественной части проводимости $\sigma_1(\omega)$ в области кроссовера от линейной к квадратичной зависимости (“излом” на кривых зависимости $\ln\sigma_1$ от $\ln\omega$), а также с аномально большими измеряемыми значениями $\operatorname{ctg}\gamma$ ($\gamma$ – угол диэлектрических потерь). Эти расхождения можно описать на основе подхода, принимающего во внимание как фононный, так и резонансный вклады в проводимость, а также переход к режиму проводимости с постоянной длиной прыжка при частотах, превышающих частоту кроссовера.