Развитие дифференциального метода анализа спектров люминесценции полупроводников

Для ряда $p^+$–$n$-структур, изготовленных из монокристаллического кремния по различным технологиям, измерены положения максимумов производных спектров электролюминесценции при комнатной температуре. Положения этих максимумов с хорошей точностью соответствовали краю фундаментального поглощения кремния с участием ТО-фононов и образованием свободных экситонов. Представленные результаты, в дополнение к ранее опубликованным данным, обосновывают высокую эффективность дифференциального метода анализа спектров люминесценции полупроводников.