Исследование корреляционных параметров структуры поверхности неупорядоченных полупроводников с помощью методов двумерного DFA и средней взаимной информации

Исследованы процессы самоорганизации структуры поверхности аморфного гидрогенизированного кремния с помощью методов флуктуационного анализа и средней взаимной информации по изображениям поверхности, полученным атомно-силовой микроскопией. Выявлено, что все структуры имеют корреляционный вектор и представляют собой гармонические составляющие с наложением шума. Показано, что с изменением технологических параметров получения пленок $a$-Si : H меняются корреляционные свойства их структуры. При увеличении температуры подложки уменьшается образование структурных неоднородностей, при этом увеличивается длина корреляционного вектора и повышается упорядоченность структуры. Показано, что методика, основанная на методе флуктуационного анализа, в сочетании с методом средней взаимной информации позволяет исследовать процессы самоорганизации в любых структурах на разных масштабах.