Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4, страницы 472–482 (Mi phts7259)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN

А. В. Саченкоa, А. Е. Беляевa, Н. С. Болтовецb, П. Н. Брунковcd, В. Н. Жмерикc, С. В. Ивановc, Л. М. Капитанчукe, Р. В. Конаковаa, В. П. Кладькоa, П. Н. Романецa, П. О. Сайa, Н. В. Сафрюкa, В. Н. Шереметa

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Государственное предприятие НИИ "Орион", 03057 Киев, Украина
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
e Институт электросварки им. Е. О. Патона НАН Украины
PDF полного текста (572 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Измерены температурные зависимости удельного контактного сопротивления $(\rho_c)$ омических контактов на основе системы Au–Ti–Pd–InN при уровне легирования InN 2 $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-3}$, в диапазоне температур от 4.2 до 300 K. При температурах $T>$ 150 K получены линейно растущие зависимости $\rho_c(T)$. Зависимости объяснены в рамках механизма протекания термоэмиссионного тока через металлические шунты, сопряженные с дислокациями. Достигнуто хорошее согласие теоретических зависимостей с экспериментом. Оно получено в предположениях, что протекающий ток ограничивается суммарным сопротивлением металлических шунтов, а плотность проводящих дислокаций составляет $\sim$ 5 $\cdot$ 10$^9$ см$^{-2}$. Методом рентгеновской дифрактометрии измерена плотность винтовых и краевых дислокаций в исследованной структуре, и установлено, что их суммарная плотность превышает 10$^{10}$ см$^{-2}$.
Поступила в редакцию: 31.07.2014
Принята в печать: 04.09.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 4, Pages 461–471
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615040193
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, П. Н. Брунков, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, В. П. Кладько, П. Н. Романец, П. О. Сай, Н. В. Сафрюк, В. Н. Шеремет, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 472–482; Semiconductors, 49:4 (2015), 461–471
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SacBelBol15}
\by А.~В.~Саченко, А.~Е.~Беляев, Н.~С.~Болтовец, П.~Н.~Брунков, В.~Н.~Жмерик, С.~В.~Иванов, Л.~М.~Капитанчук, Р.~В.~Конакова, В.~П.~Кладько, П.~Н.~Романец, П.~О.~Сай, Н.~В.~Сафрюк, В.~Н.~Шеремет
\paper Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 4
\pages 472--482
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7259}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195141}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 4
\pages 461--471
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615040193}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7259
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i4/p472
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025