Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4, страницы 509–514 (Mi phts7264)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Условия устойчивого переключения в ячейках памяти на фазовых переходах

А. И. Поповa, С. М. Сальниковab, Ю. В. Ануфриевab

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
PDF полного текста (612 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Разработаны и реализованы три типа ячеек энергонезависимой памяти различных конструкций на фазовых переходах. Рассмотрено влияние конструктивных особенностей ячеек и размеров активной области на характеристики переключения и работоспособность ячеек в целом. Причины отказов ячеек анализировались путем получения серии растровых электронных изображений при послойном травлении образцов. Показано, что с точки зрения переключения в высокоомное состояние конструкция ячейки является наиболее критическим фактором. Проанализированы причины этого и сформулирован критерий для обеспечения устойчивой работы ячеек энергонезависимой памяти на фазовых переходах.
Поступила в редакцию: 04.09.2014
Принята в печать: 10.09.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 4, Pages 498–503
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615040181
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Попов, С. М. Сальников, Ю. В. Ануфриев, “Условия устойчивого переключения в ячейках памяти на фазовых переходах”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 509–514; Semiconductors, 49:4 (2015), 498–503
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PopSalAnu15}
\by А.~И.~Попов, С.~М.~Сальников, Ю.~В.~Ануфриев
\paper Условия устойчивого переключения в ячейках памяти на фазовых переходах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 4
\pages 509--514
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7264}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195147}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 4
\pages 498--503
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615040181}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7264
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i4/p509
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025