Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4, страницы 519–523 (Mi phts7266)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур $p^+$-Si/НК $\beta$-FeSi$_2$/$n$-Si

Т. С. Шамирзаевab, Н. Г. Галкинcd, Е. А. Чусовитинc, Д. Л. Горошкоc, А. В. Шевлягинc, А. К. Гутаковскийae, А. А. Саранинdc, А. В. Латышевa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Уральский федеральный университет, 620002 Екатеринбург, Россия
c Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, 690041 Владивосток, Россия
d Дальневосточный федеральный университет, г. Владивосток
e Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (1243 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Исследовалась эффективность электролюминесценции (ЭЛ) кремниевых светодиодных структур с несколькими слоями нанокристаллитов $\beta$-FeSi$_2$ в области $p$–$n$-перехода. Нанокристаллиты формировались двумя методами: твердофазной эпитаксии и комбинацией реактивной и твердофазной эпитаксии. Для структур, в которых нанокристаллиты сформированы комбинированным методом, электролюминисценция наблюдается только при низких температурах, менее 70 K, что свидетельствует о высокой концентрации дефектов – центров безызлучательной рекомбинации. При формировании нанокристаллитов методом твердофазной эпитаксии интенсивная электролюминисценция наблюдается вплоть до комнатной температуры. Проанализирована зависимость интенсивности электролюминисценции от размера нанокристаллита.
Поступила в редакцию: 04.08.2014
Принята в печать: 25.08.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 4, Pages 508–512
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615040211
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. С. Шамирзаев, Н. Г. Галкин, Е. А. Чусовитин, Д. Л. Горошко, А. В. Шевлягин, А. К. Гутаковский, А. А. Саранин, А. В. Латышев, “Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур $p^+$-Si/НК $\beta$-FeSi$_2$/$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 519–523; Semiconductors, 49:4 (2015), 508–512
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShaGalChu15}
\by Т.~С.~Шамирзаев, Н.~Г.~Галкин, Е.~А.~Чусовитин, Д.~Л.~Горошко, А.~В.~Шевлягин, А.~К.~Гутаковский, А.~А.~Саранин, А.~В.~Латышев
\paper Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур $p^+$-Si/НК $\beta$-FeSi$_2$/$n$-Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 4
\pages 519--523
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7266}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195149}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 4
\pages 508--512
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615040211}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7266
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i4/p519
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025