Поверхностно-барьерные фотопреобразователи с варизонными слоями в области пространственного заряда

Реализуется оригинальная возможность управления параметрами поверхностно-барьерных структур $p$-Cu$_{1.8}$S–$n$-A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ путем встраивания тонкого варизонного слоя в область пространственного заряда фотопреобразователя. Учитывается особенность квазиэлектрических полей, встраиваемых в область пространственного заряда, связанная с тем, что увеличение тянущего поля для неосновных носителей тока может сопровождаться уменьшением потенциального барьера для основных носителей. Правильный выбор параметров варизонного слоя Cd$_x$Zn$_{1-x}$S, встроенного в область пространственного заряда структуры Cu$_{1.8}$S–ZnS, позволил увеличить в 2 раза квантовую эффективность в ультрафиолетовой области спектра. Для фотопреобразователей Cu$_{1.8}$S–CdS с промежуточным слоем (CdS)$_x$(ZnSe)$_{1-x}$ достигнуто уменьшение на 3 порядка величины темновых диодных токов при сохранении высокой квантовой эффективности.