Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости

С помощью метода спектроскопии полной проводимости проведены исследования уровней дефектов в слоях четверного раствора GaPNAs. В легированных слоях $n$-GaPNAs, выращенных на подложках GaP, обнаружены центры с энергией активации 0.22 эВ и площадью сечения захвата $\sim$ 2.4 $\cdot$ 10$^{-15}$ см$^2$, которые соответствуют ранее известным дефектам в $n$-GaP Si$_{\mathrm{Ga}}$+$V_{\mathrm{P}}$; после отжига их концентрация уменьшается в несколько раз. Для нелегированных слоев GaPNAs, выращенных на подложках Si и GaP, был обнаружен уровень с глубиной залегания 0.23–0.24 эВ и площадью сечения захвата $\sim$ 9.0 $\cdot$ 10$^{-20}$ см$^2$, концентрация этих центров существенно уменьшается в результате отжига, и при температурах отжига $>$ 600$^\circ$C отклик данных дефектов полностью отсутствует. Для нелегированных слоев GaPNAs, выращенных на подложках GaP, также был обнаружен уровень с энергией активации 0.18 эВ и площадью сечения захвата $\sim$ 1.1 $\cdot$ 10$^{-16}$ см$^2$, концентрация этих центров не изменяется после отжига.