Электрон-фононное взаимодействие в трехбарьерных наносистемах как активных элементах квантовых каскадных детекторов

Развита теория электронного туннелирования сквозь открытую наноструктуру как активный элемент квантового каскадного детектора с учетом взаимодействия электронов с объемными и интерфейсными фононами. Методом температурных функций Грина на основе электрон-фононного гамильтониана в представлении вторичного квантования по всем переменным системы выполнен расчет температурных сдвигов и ширин электронных уровней, а также проанализированы вклады различных механизмов электрон-фононного взаимодействия в перенормировку спектральных параметров в зависимости от геометрической конфигурации наносистемы. Из-за слабой электрон-фононной связи в резонансно-туннельной наноструктуре (на основе GaAs/Al$_{0.34}$Ga$_{0.66}$As) температурный сдвиг и ширина пика поглощения высокочастотного поля мало чувствительны к электрон-фононному взаимодействию, а обусловлены уменьшением высот потенциальных барьеров из-за различных температурных зависимостей запрещенных зон ям и барьеров.