Облучение тяжелыми ионами 4H-SiC детекторов ультрафиолетового излучения

Ультрафиолетовые фотодетекторы на основе барьеров Шоттки к 4H-SiC формировались на слаболегированных эпитаксиальных слоях, выращенных методом газотранспортной эпитаксии на промышленных подложках. Диодные структуры облучались при температуре 25$^\circ$C тяжелыми ионами Хе массой 131 а.е.м. с энергией 167 МэВ флюенсом 6 $\cdot$ 10$^9$ см$^{-2}$. Проводились сравнительные оптические и электрические исследования исходных и облученных структур в температурном интервале 23–180$^\circ$C. Особенности изменений фоточувствительности и электрических характеристик детекторных структур объясняются захватом фотоносителей в ловушки, обусловленные флуктуациями дна зоны проводимости и потолка валентной зоны, с последующей термодиссоциацией.