Жидкофазная эпитаксия твердого раствора замещения (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ (0 $\le x\le$ 0.91, 0 $\le y\le$ 0.94) и некоторые электрофизические свойства

Методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава на основе Pb на Si-подложках с кристаллографической ориентацией (111) выращены твердые растворы замещения (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ (0 $\le x\le$ 0.91, 0 $\le y\le$ 0.94). Рентгеновским микрозондовым анализом исследован химический состав эпитаксиальных пленок и определен профиль распределения компонентов твердого раствора. Исследованы спектральные зависимости фоточувствительности и фотолюминесценция гетероструктур $n$-Si-$p$(Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ при комнатной и азотной температурах. В спектре фотолюминесценций пленок (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ (0 $\le x\le$ 0.91, 0 $\le y\le$ 0.94) на фоне широкого спектра излучения обнаружены два максимума. Основной максимум с энергией 1.45 эВ обусловлен зона-зонной рекомбинацией носителей заряда твердого раствора, дополнительный, с энергией 1.33 эВ, – рекомбинацией носителей заряда с участием примесных уровней связи Si–Si (Si$_2$ находится в ковалентной связи с тетраэдрической решеткой матрицы твердого раствора).