Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4, страницы 561–568 (Mi phts7273)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Анизотропный шейпинг макропористого кремния

Е. В. Астрова, А. В. Парфеньева, Г. В. Ли, Ю. А. Жарова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Рассмотрены различные высокоаспектные структуры, которые изготавливаются из макропористого кремния с упорядоченной решеткой путем дополнительной обработки в анизотропных травителях. Определены условия и особенности получения структур со стенками, образованными одним типом медленно травящихся плоскостей: (110) или (100), и зависимость их пористости и удельной внутренней поверхности от толщины стенок. Экспериментально демонстрируются структуры в виде зигзага, сетки и столбиков, изготовленные на основе макропористого кремния с помощью анизотропной обработки в водных растворах KOH.
Поступила в редакцию: 23.07.2014
Принята в печать: 15.09.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 4, Pages 551–558
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615040041
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Астрова, А. В. Парфеньева, Г. В. Ли, Ю. А. Жарова, “Анизотропный шейпинг макропористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 561–568; Semiconductors, 49:4 (2015), 551–558
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AstParLi15}
\by Е.~В.~Астрова, А.~В.~Парфеньева, Г.~В.~Ли, Ю.~А.~Жарова
\paper Анизотропный шейпинг макропористого кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 4
\pages 561--568
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7273}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195156}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 4
\pages 551--558
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615040041}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7273
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i4/p561
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025