Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si

Показана возможность создания монокристаллических буферных слоев GaP на подложке Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием методики “эпитаксия с повышенной миграцией” на стадии формирования зародышевого слоя. При формировании слоя GaP на подложке кремния $p$-типа проводимости в подложке естественным образом создается $p$–$n$-переход между подложкой $p$-Si и приповерхностным слоем $n$-Si, который возникает в результате диффузии фосфора в подложку в процессе эпитаксиального роста GaP. Данный $p$–$n$-переход может быть использован в качестве первого перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния.