Влияние спин-орбитального взаимодействия на электронную структуру $d$-зон антимонида индия

Определены зоны и плотности состояний $d$-зон антимонида индия InSb с учетом и без учета спин-орбитального взаимодействия. Установлено, что учет эффекта спин-орбитального взаимодействия приводит не только к дублетному расщеплению полосы остовных $d$-уровней на $\sim$(0.79–0.86) эВ, но и к существенному изменению дисперсии полученных зон. Установлено, что основной вклад в плотность состояний дают 4$d$-состояния индия с симметриями $e_g$ и $t_{2g}$. Расчеты выполнены методом LAPW с обменно-корреляционным потенциалом в обобщенном градиентном приближении (LAPW + GGA).