Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 588–592 (Mi phts7278)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Рассеяние электронов в $\Delta_1$-модели зоны проводимости монокристаллов германия

С. В. Лунев, О. В. Бурбан, П. Ф. Назарчук

Луцкий национальный технический университет
Аннотация: Исследовано рассеяние электронов в возможных $\Delta_1$-моделях зоны проводимости кристаллов германия, созданных гидростатическим или одноосным давлением. На основании теории анизотропного рассеяния получены температурные зависимости параметра анизотропии времен релаксации и подвижности электронов для этих моделей в условиях рассеяния на ионах примеси, акустических и междолинных фононах. Анализ температурных зависимостей указывает, что в температурном интервале 77–300 K существенным становится междолинное рассеяние. Только для $\Delta_1$-модели, созданной одноосным давлением вдоль кристаллографического направления [100], рассеяние электронов на междолинных фононах, которые соответствуют $g$-переходам, является второстепенным по отношению к рассеянию на акустических фононах (внутридолинное рассеяние) и ионах примеси.
Поступила в редакцию: 28.07.2014
Принята в печать: 17.10.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 5, Pages 574–578
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615050140
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Лунев, О. В. Бурбан, П. Ф. Назарчук, “Рассеяние электронов в $\Delta_1$-модели зоны проводимости монокристаллов германия”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 588–592; Semiconductors, 49:5 (2015), 574–578
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunBurNaz15}
\by С.~В.~Лунев, О.~В.~Бурбан, П.~Ф.~Назарчук
\paper Рассеяние электронов в $\Delta_1$-модели зоны проводимости монокристаллов германия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 588--592
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7278}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195161}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 574--578
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615050140}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7278
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p588
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025