|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 588–592
(Mi phts7278)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Рассеяние электронов в $\Delta_1$-модели зоны проводимости монокристаллов германия
С. В. Лунев, О. В. Бурбан, П. Ф. Назарчук Луцкий национальный технический университет
Аннотация:
Исследовано рассеяние электронов в возможных $\Delta_1$-моделях зоны проводимости кристаллов германия, созданных гидростатическим или одноосным давлением. На основании теории анизотропного рассеяния получены температурные зависимости параметра анизотропии времен релаксации и подвижности электронов для этих моделей в условиях рассеяния на ионах примеси, акустических и междолинных фононах. Анализ температурных зависимостей указывает, что в температурном интервале 77–300 K существенным становится междолинное рассеяние. Только для $\Delta_1$-модели, созданной одноосным давлением вдоль кристаллографического направления [100], рассеяние электронов на междолинных фононах, которые соответствуют $g$-переходам, является второстепенным по отношению к рассеянию на акустических фононах (внутридолинное рассеяние) и ионах примеси.
Поступила в редакцию: 28.07.2014 Принята в печать: 17.10.2014
Образец цитирования:
С. В. Лунев, О. В. Бурбан, П. Ф. Назарчук, “Рассеяние электронов в $\Delta_1$-модели зоны проводимости монокристаллов германия”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 588–592; Semiconductors, 49:5 (2015), 574–578
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7278 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p588
|
|